架构设计与技术亮点CD2399GP采用7nmFinFET工艺制程,晶体管密度较上一代提升23%,核心架构上创新性采用三簇式设计,包含4颗高性能Cortex-X3核心、4颗均衡型Cortex-A715核心以及3颗高能效Cortex-A510...